集成电路及电子元器件领域

物(化) 性失效分析 PFA 

Decap 开封

Bare Die Extraction 取晶粒

De-layer/De-process 去层解剖

Staining-Rom Code 码点染色

Staining-P/N 阱染色

Staining-Resistor zone 电阻染色

De-Gold Bump 去金凸块

 

金相分析 

精密定点及非定点研磨制样 / 金相切片

显微观察分析（Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷场发射电镜+ EDS）

        

电性失效分析 EFA 

EMMI 微光显微检查

LC Hot Spot 液晶热点侦测

OBIRCH 镭射光束诱发阻值变化测试

Probe Station 探针应用

   

FIB聚焦离子束应用

微线路修改

测试键生成

Cross-Section

VC

精密切割及加工

 

无损侦测 

X-Ray + 3D CT（三维断层扫描技术）

C-SAM 扫描超声波

 

芯片逆向工程及工艺评估

成功的正向设计需要随时更新已有设计思路，纠正设计缺陷。反向设计作为一种辅助工具，可以帮助电路设计工程师在短时间里积累足够多的设计经验并开发适合自身设计水平的工艺参数，有效规避风险、提高效率。也可帮助设计公司提升产品竞争力，或为保护自主产品知识产权提供有效证据。

 

静电放电/闩锁效应测试 

ESD-HBM 人体模式

ESD-MM 机器放电模式

ESD-CDM 充电元器件模式

Latch-Up 闩锁效应测试

 

材料分析

AES 俄歇电子能谱仪应用

AFM 原子力显微镜应用

EELS 电子能量损失分析仪应用

FT-IR 傅立叶红外显微镜应用              

SEM/EDS 扫描电子显微镜/X射线能谱仪应用

SIMS 二次离子能谱仪（特殊定点/非定点制样、元素分析）

TEM 透射电镜（定点/非定点制样及上机观察）

TOF-SIMS 飞行时间二次离子质谱应用

XPS X射线光电子能谱仪应用

 

可靠性测试

静态环境可靠性测试…

动态环境可靠性试验…

机械应力可靠性试验…

高加速寿命试验…